تور خړ پاؤډر وینډیم (Iv) اکسایډ کاس 12036-21-4

تور خړ پاؤډر وینډیم (Iv) آکسایډ کاس 12036-21-4 ځانګړی انځور

CAS:12036-21-4

مالیکولر فورمول:O2V

مالیکولر وزن:82.94

EINECS:234-841-1

مترادف:وینډیم اکسایډ (VO2)؛ vanadiumoxide (vo2)؛ VO2; وینډیم ټیټراکسایډ؛ وینډیم اکسایډ؛ وینډیم (IV) اکسایډ؛ وینډیم ډای اکسایډ؛ وینډیم (Ⅳ) اکسایډ؛ وینډیم (IV) اکسایډ، 99.9٪؛ وینډیم (IV) اکسایډ 98+٪؛ وینډیم (IV) اکسایډ 99+٪؛ وینډیم (IV) اکسایډ (فلزاسیس)؛ وینډیم ټیتروکسایډ؛ وینډیم (IV) اکسایډ، 99.90٪؛ DivanadiuM tetroxide؛ VanadiuM(IV) اکسایډ 99.9% د فلزاتو په اساس ټریس؛ وینډیم (IV) آکسایډ>=99٪ د فلزاتو په اساس

خپل پیغام پریږدئ

د محصول تفصیل

ډاونلوډ کړئ

د محصول ټګ

وینډیم (Iv) آکسایډ کاس 12036-21-4 څه شی دی؟

وینډیم ډای اکسایډ (VO2) یو قوي تړاو لري د بریښنایی سیسټم بائنری آکسایډ. د دې د داخلي الکترونونو، مدارونو، جالیو او سپنونو ترمنځ د قوي تعامل له امله، په محلي الکترونونو او کرسټال جوړښت کې بدلون چې د کوچني خارجي محرکاتو له امله رامینځته کیږي VO2 د بیرته راګرځیدونکي فلزي بدلون څخه تیریږي. د کرسټال جوړښت، مقاومت، د انفراریډ لیږد، انعکاس شاخص او د VO2 مقناطیسي حساسیت په ډراماتیک ډول بدلیږي. دا دقیقا د خونې تودوخې ته نږدې د مرحلې لیږد تودوخې او د مرحلې لیږد دمخه او وروسته په فزیکي او کیمیاوي ملکیتونو کې ناڅاپي بدلونونو له امله دی چې VO2 په بریښنایی ، نظامي ، ورځني ژوند او نورو برخو کې خورا پراخه غوښتنلیک لري.

مشخصات

ITEM	Sتاند
بڼه	تور خړ پوډر
د ذرې اندازه	100-200nm
Si	11ppm
Fe	23ppm
S	20ppm
As	10ppm
Cr	15ppm
Na	20ppm
K	24ppm
Cl	13pm
Zr	5ppm
Al	7ppm
منځپانګهt	≥99.9%

غوښتنلیک

1. د غوښتنلیک په ساحه کې د انرژۍ سپمولو وړ کړکۍ، د هدف کیموفلاج، د تودوخې اصلاح، د RF سویچونه، ریزونټرونه، چلوونکي، د تودوخې حساس وسایل، او د ساحې د اخراج وسایل شامل دي؛
2. د عکس په واسطه د VO2 مرحلې لیږد ګړندی او اسانه دی ، کوم چې د مرحلې لیږد ډینامیک پروسې مطالعې لپاره ګټور دی. د اړونده وسیلې غوښتنلیکونه شامل دي نظری ذخیره، ټول نظری سویچونه، فوتوډیټیکټرونه، فوتو ټرانسیسټور، او نور؛
3. د بریښنایی ساحې هڅول شوي VO2 مرحله بدلون وسیله یو ساده جوړښت او د پراخ غوښتنلیک امکانات لري. دا د بریښنایی سویچ په توګه کارول کیدی شي ، د ساحې اغیزې ټرانزیسټر ، بریښنایی اوسیلیټر ، میمریسټر ، RF سویچ ، الیکٹرو آپټیک ماډلیټر ، او داسې نور؛
4. د VO2 مرحلې لیږد چې د ایون ډوپینګ او الیکټرو کیمیاوي شرایطو لاندې الیکٹرو اسټاټیک اغیزو له امله رامینځته کیږي د ایونیک مایع ساحې اغیزې ټرانزیسټرونو او الیکټروکرومیک وسیلو کې کارول کیدی شي؛
5. فشار به د VO2 جال په ثابت ډول بدل کړي، په دې توګه خپل بریښنایی جوړښت بدلوي ترڅو د مرحلې لیږد لامل شي، او د انعطاف وړ فشار سینسر په توګه کارول کیدی شي؛
6. د VO2 مقناطیسي حساسیت به د مرحلې لیږد پروسې کې په ناڅاپي ډول بدلون ومومي، کوم چې دا د مقناطیسي یخچال او سپنټرونیک وسیلو په ساحه کې په بالقوه توګه ارزښتناکه کوي.